HSE D300 等離子體切割刻蝕機(jī)

HSE D300 Plasma Dicing Etcher

HSE D300為高密度等離子體刻蝕機(jī)，適用于6/8/12英寸硅等離子切割工藝。具備高刻蝕速率、高刻蝕均一性和角度控制能力、低顆粒控制等性能優(yōu)勢(shì)。該設(shè)備易維護(hù)、性能穩(wěn)定、客戶擁有成本低，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于先進(jìn)封裝領(lǐng)域的等離子切割工藝。

設(shè)備特點(diǎn)

• 更高的芯片切割效率（并行切割）
• 更優(yōu)的顆粒及良率表現(xiàn)，無(wú)損傷切割
• Frame/wafer，DAG/DBG均可兼容
• 適用不同尺寸的Die及大量Die的切割

• 晶圓尺寸

  380mm Frame及以下

• 適用材料

  硅

• 適用工藝

  深硅等離子切割

• 適用領(lǐng)域

  先進(jìn)封裝